nand-flash时序图详解25页.docx

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怎么看时序图--nand flash的读操作详解2013-11-16 10:25:36分类：嵌入式这篇文章不是介绍nand flash的物理结构和关于nand flash的一些基本知识的。你需要至少了解你手上的nand flash的物理结构和一些诸如读写命令操作的大概印象，你至少也需要看过s3c2440中关于nand flash控制寄存器的说明。由于本人也没有专门学过这方面的知识，下面的介绍也是经验之谈。这里我用的K9F2G08-SCB0这款nand flash来介绍时序图的阅读。不同的芯片操作时序可能不同，读的命令也会有一些差别。当然其实有时候像nand flash这种s3c2440内部集成了他的控制器的外设。具体到读写操作的细节时序(比如CLE/ALE的建立时间，写脉冲的宽度。数据的建立和保持时间等)，不明白前期也没有多大的问题。因为s3c2440内部的nand flash控制器做了大部分的工作，你需要做的基本就是设置几个时间参数而已。然后nand flash会自动进行这些细节操作。当然如果处理器上没有集成nand flash的控制器那么久必须要自己来写时序操作了。所以了解最底层的时序操作总是好的但是上层一点的，比如读写操作的步骤时序（比如读操作，你要片选使能，然后发命令，然后发地址，需要的话还需发一个命令，然后需要等待操作完成，然后再读书数据）。是必须要明白的。这都不明白的话，怎么进行器件的操作呢也就是说s3c2440可以说在你设置很少的几个时间参数后，将每一个步骤中细微的操作都替你做好了。（比如写命令，你只要写个命令到相应寄存器中，cpu内部就会协各个引脚发出适应的信号来实现写命令的操作）。而我们所需要做的就是把这些写命令，写地址，等待操作完成。等步骤组合起来。从而完成一个读操作就像上面说的，虽然我们不会需要去编写每个步骤中的最细微的时序。但是了解下。会让你对每个操作步骤的底层细节更加明了先来看一个命令锁存的时序。也就是上面说的读nand flash操作中不是有一个写命令步骤吗。那么这个步骤具体是怎么实现的。首先我们肯定是要片选nand flash。只有选中芯片才能让他工作啊nand flash是通过ALE/CLE(高电平有效)来区分数据线上的数据时命令（CLE有效），地址（ALE有效）还是数据（CLE/ALE都无效）。那么这里既然是写命令那么就一定是CLE有效（高电平）ALE无效（低电平）。同样命令既然是写给nand flash的那么肯定有一个写周期。我们需要注意的是，写是在上升沿有效还是下降沿有效。时序图如下：1这里是命令锁存是时序，那么我们要注意的其实就只有CLE为高电平期间这段时序。（写命令啊，CLE有效时（高电平）指示现在的数据其实命令）ALE此时一定为低电平我们可以不关心他2所以，CLE为低电平的时期，其他大部分引脚上都是灰色的阴影，这代表我们不需要关心这段时期这些引脚的电平3那么这个数据是什么时候被nand flash读取到的呢，注意到nWE信号在上升沿有一个贯穿所有其他引脚时序的竖线（这好像是叫生命线？我也不清楚）这就是说明，写入的数据（命令也是数据啊，只是可以通过CLE有效来区分）是在WE的上升沿有效。也就是说，虽然WE是在低电平有效，但并不是说WE一变成低电平，命令就被锁存了（即真正获得命令）而是在WE的上升沿，命令才真正被锁存。知道了上面这三点，也就知道了一个大概，那么剩下的图中也只剩那些txx的标号。明显它指的是时间，但是具体指什么时间呢。指的就是箭头两边所指的两条竖线之间的时间。（在每个信号的跳变沿，都有小竖线）剩下的就是这些时间到底是代表什么了。这里没什么难的，刚接触的觉得看不懂。是因为之前从来没接触过。（就像单片机刚学的时候不也是各种不懂，原因就是我们从没接触过）。