降低手机射频链路的功率放大器的消耗.docx

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降低手机射频链路的功率放大器的消耗有些人说电池寿命是移动手机中重要的用户需求。即使当消费者渴望先进的多媒体功能，他们也不愿意得到这些功能而放弃长通话的时间及待机时间。即便手机设计师延长了电池寿命,他们正面临“矛盾”的需求而增加消耗更多功率的新功能。尽管电池技术在近几年在不断的进步，但是还没有突破性的技术革新，改良效率的任务落在IC设计厂商上，更低的功率消耗，允许更好的功率管理。在移动电话中，驱动天线的功率放大器(PA)是电池功率的消耗者。通过提高移动电话所有输出功率等级的效率可以有效的减少功率消耗,从而延长电池寿命。本文将介绍ANADIGICS的CDMA和WCDMA功放使用的HELPTM(低功率高效率)来满足移动电话对功率的需求。为了提高效率，首先要评估在城市和郊区的环境中大多数移动电话通信所需要的功率水平。对此，我们可以参考CDMA开发团队(CDG)发表的数据。CDG发表的功率级别分布图表显示在以上两种环境下移动电话处于开启状态的多数时间里，大部分移动电话工作时的发射功率远远低于发射功率。这是因为大多数移动电话用户打电话的时候通常都移动电话塔较近,因此移动电话工作时只需要相对较低的输出功率。例如，当无线标准要求的输出功率时大约为+28dBm，超过80%通话的功率需求都少于+10dBm。遗憾的是，传统的PAs在低功率级别工作时效率将大幅降低，这增加了电流消耗。在低功率级别工作时提高效率，能够大幅延长电池的寿命。一个标准的WCDMA功放输出+28dBm功率时效率为42%，输出+16dBm时效率将大大降低，仅为8%，静态电流大约为50mA。传统射频功放是双极GaAs器件，在高低功率水平间开展功率转换，切换的门限是+16dBm。一种常用的方法是使用外部DC-DC转换器来切换功放的电压，从而使得PA效率化。这种方法的缺点是在材料清单(BOM)增加了额外的器件和成本,并浪费了主板空间。ANADIGICS的HELPTMPAs，基于其InGaP-PlusTM的技术，提供了一个更优良和更廉价的解决方案。InGaP-PlusTM允许电路设计师把高性能HBTs和高性能pHEMTs集成在同一个基底中。这种因此产生的BiFET技术能利用HBT来构建高线性放大器，使用pHEMTs来构建快速、低损耗的开关。使用BiFET技术的PA可以不使用外部转换器来实现低输出功率时效率的化。pHEMT开关允许在PA中选择不同的放大器链路，这取决于输出功率的要求。其好处是中等输出功率时效率超过2倍，在16dBm时效率从8%提高到21%。由于效率的提高，平均的功率消耗将减少50%。通过三种功率级别途径的处理，第3代HELP器件(称为HELP3)功率消耗降低多达75%，静态电流也明显减少，HELP技术使静态电流从50mA降低到15mA,而HELP3的静态电流仅为7mA(表1)。表1.显示相关的三种PAs规范.这在实际应用中是如何被实现的?考虑城市环境中典型的移动电话，接收电路和基带部分消耗125mA。当其它的发射电路功率消耗相等时，发射电路的功率消耗将由使用的PA不同而变化(发射电路时的功率消耗不仅仅包括PA，也包含其它构件例如RF驱动放大器)。以下是在通话模式下，三种方案的电流消耗：1.移动电话，使用传统功放(two-statePA):PA的电流消耗为70mA,通话模式下电流消耗为：116mA(发射电路)+125mA(基带&接收电路)=241mA 2.移动电话，使用HELP功放(two-levelBiFET):PA的电流消耗为34mA,通话模式下电流消耗为：81mA(发射电路)+125mA(基带&接收电路)=206mA。3.移动电话，使用HELP3功放(three-level,BiFET):PA的电流消耗为18mA,通话模式下电流消耗为：68mA(发射电路)+125mA(基带&接收电路)=193mA。HELP及HELP3静态电流可以分别减少70%和86%，同样将有助于待机状态下手机的降低功耗。当然，功率消耗不是挑选PA的理由，线性度、噪声以及支持高端服务(HSDPA)等系统级的性能都要考虑在内。无论如何,功放的基本性能必须符合规范。在满足了基本的性能要求之后，开始开展PA的功耗管理。更高的集成度，增加更多的功能，同样节约了空间和减少材料清单。例如，在HELP和HELP3技术之间的一个差异是HELP3PA内置了电压转换器。